MOSFET Vishay, canale N 80 V, 12 mΩ Miglioramento, 72 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SQJA78EP-T1_GE3

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Codice RS:
188-4919
Codice costruttore:
SQJA78EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

72A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

SO-8

Serie

SQJA78EP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

62nC

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Altezza

1.01mm

Larghezza

4.47mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a 175 °C N-Channel 80 V (D-S) per autoveicoli.

MOSFET di potenza TrenchFET®

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.