MOSFET Vishay, canale N 80 V, 17.3 mΩ Miglioramento, 46 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SQJA81EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7240
Codice costruttore:
SQJA81EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

46A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

SO-8

Serie

SQJA81EP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.8mm

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale P Vishay da 80 V (D-S) e 175 °C per uso automobilistico è certificato AEC-Q101.

Testato al 100% Rg e UIS

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

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