MOSFET Vishay, canale N 40 V, 6.7 mΩ Miglioramento, 60 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SQJA38EP-T1_GE3

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Codice RS:
188-4917
Codice costruttore:
SQJA38EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

SQJA38EP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48.2nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Altezza

1.01mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.47mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET 40 V (D-S) a 175 °C a canale N. automotive.

MOSFET di potenza TrenchFET®

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