2 MOSFET Vishay Duale, canale N, 40 mΩ, 7 A 60 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin SQ4946CEY-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2946
Codice costruttore:
SQ4946CEY-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

4W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.7nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il doppio canale N per uso automobilistico TrenchFET Vishay è un MOSFET di potenza.

Testato al 100% Rg e UIS

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