2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 20 mΩ, 54 A 60 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 6 Pin SQJ264EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7238
Codice costruttore:
SQJ264EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

54A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

SQJ264EP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.82V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.37 mm

Altezza

1.07mm

Lunghezza

4.9mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET a doppio canale N Vishay da 60 V (D-S) e 175 °C per uso automobilistico sono ottimizzati per applicazioni buck sincrone. È certificato AEC-Q101.

Testato al 100% Rg e UIS

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

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