2 MOSFET Vishay Duale, canale N, 20 mΩ, 54 A 60 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 6 Pin SQJ264EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7238
Codice costruttore:
SQJ264EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

54A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SQJ264EP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

820mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

4.9mm

Larghezza

4.37mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.07mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET a doppio canale N Vishay da 60 V (D-S) e 175 °C per uso automobilistico sono ottimizzati per applicazioni buck sincrone. È certificato AEC-Q101.

Testato al 100% Rg e UIS

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