2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 16 mΩ, 60 A 40 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin SQJ208EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5101
Codice costruttore:
SQJ208EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

16mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.77V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Larghezza

4.47 mm

Altezza

1.01mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a 40 V (D-S) a 175 °C Dual N-Channel automotive.

MOSFET di potenza TrenchFET®

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