2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 16 mΩ, 60 A 40 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin SQJ208EP-T1_GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

12,72 €

(IVA esclusa)

15,52 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 08 aprile 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 901,272 €12,72 €
100 - 2401,207 €12,07 €
250 - 4901,018 €10,18 €
500 - 9900,827 €8,27 €
1000 +0,70 €7,00 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5101
Codice costruttore:
SQJ208EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

16mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.77V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.01mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a 40 V (D-S) a 175 °C Dual N-Channel automotive.

MOSFET di potenza TrenchFET®

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.