MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 13.6 mΩ Miglioramento, 60 A, 4 Pin, SO-8, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1137,00 €

(IVA esclusa)

1386,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Pochi pezzi in magazzino
  • 6000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Le nostre scorte attuali sono limitate e i nostri fornitori prevedono difficoltà di approvvigionamento.
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,379 €1.137,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
210-5054
Codice costruttore:
SQJB46EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

SQJB46EP_RC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

34W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.25 mm

Altezza

1.1mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET Vishay è dotato di contenitore tipo PowerPAK SO-8L.

Valori R-C per il circuito elettrico nell'area di alimentazione/serbatoio e. sono incluse le configurazioni di cauter/filtro

Link consigliati