MOSFET Vishay, canale N 40 V, 13.6 mΩ Miglioramento, 60 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SQJB46EP-T1_GE3

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Codice RS:
210-5054
Codice costruttore:
SQJB46EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

SQJB46EP_RC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

34W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Larghezza

6.25mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET Vishay è dotato di contenitore tipo PowerPAK SO-8L.

Valori R-C per il circuito elettrico nell'area di alimentazione/serbatoio e. sono incluse le configurazioni di cauter/filtro

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