MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 13.6 mΩ Miglioramento, 60 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SQJB46EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5055
Codice costruttore:
SQJB46EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

SQJB46EP_RC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Dissipazione di potenza massima Pd

34W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.1mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET Vishay è dotato di contenitore tipo PowerPAK SO-8L.

Valori R-C per il circuito elettrico nell'area di alimentazione/serbatoio e. sono incluse le configurazioni di cauter/filtro

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