2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 5.9 mΩ, 30 A 40 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 4 Pin SQJ912DEP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5049
Codice costruttore:
SQJ912DEP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

27W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Tensione diretta Vf

0.79V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.07mm

Larghezza

4.37 mm

Lunghezza

4.9mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a doppio canale N Vishay Automotive da 40 V (D-S) e 175 °C è dotato di contenitore tipo SO-8L PowerPAK.

MOSFET di potenza TrenchFET®

Qualifica AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

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