2 MOSFET Vishay Duale, canale N, 5.9 mΩ, 30 A 40 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 4 Pin SQJ912DEP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5049
Codice costruttore:
SQJ912DEP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

790mV

Dissipazione di potenza massima Pd

27W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

4.9mm

Altezza

1.07mm

Larghezza

4.37mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a doppio canale N Vishay Automotive da 40 V (D-S) e 175 °C è dotato di contenitore tipo SO-8L PowerPAK.

MOSFET di potenza TrenchFET®

Qualifica AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

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