MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 250 V, 18 mΩ Miglioramento, 56 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
711-524
Codice costruttore:
STP25N018M9
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

56A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

TO-220

Serie

STP25

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

320W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

85nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.6mm

Lunghezza

15.75mm

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics si basa sulla più innovativa tecnologia MDmesh M9 a supergiunzione, adatta per i MOSFET a media/alta tensione con basso RDS(on) per area. La tecnologia M9 a base di silicio beneficia di un processo di fabbricazione multi-drenaggio che consente una struttura del dispositivo migliorata. Il risultato Il prodotto presenta uno dei valori di resistenza on più bassi e di carica di gate ridotta, tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida a base di silicio, il che lo rende particolarmente adatto per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'eccezionale efficienza.

FOM molto basso (RDS(on)·Qg)

Maggiore capacità dv/dt

Eccellenti prestazioni di commutazione

Facile da azionare

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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