MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 250 V, 18 mΩ Miglioramento, 56 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 711-524
- Codice costruttore:
- STP25N018M9
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- STP25N018M9
- Costruttore:
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Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 56A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | STP25 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 18mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 85nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 320W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 56A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie STP25 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 18mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 85nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 320W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
Altezza 4.6mm | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics si basa sulla più innovativa tecnologia MDmesh M9 a supergiunzione, adatta per i MOSFET a media/alta tensione con basso RDS(on) per area. La tecnologia M9 a base di silicio beneficia di un processo di fabbricazione multi-drenaggio che consente una struttura del dispositivo migliorata. Il risultato Il prodotto presenta uno dei valori di resistenza on più bassi e di carica di gate ridotta, tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida a base di silicio, il che lo rende particolarmente adatto per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'eccezionale efficienza.
FOM molto basso (RDS(on)·Qg)
Maggiore capacità dv/dt
Eccellenti prestazioni di commutazione
Facile da azionare
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
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