MOSFET DiodesZetex, canale Canale P -20 V, 150 mΩ Miglioramento, -3 A, 3 Pin, SOT-23, Montaggio superficiale DMG2301L-7

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Codice RS:
719-544
Codice costruttore:
DMG2301L-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Canale P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-20V

Tipo di package

SOT-23

Serie

DMG2301L

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

150mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.5nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-50°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3mm

Altezza

1.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET in modalità di potenziamento a canale P robusto DiodesZetex è progettato per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Questo dispositivo è progettato per ottenere una bassa resistenza all'accensione garantendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per l'uso in applicazioni automobilistiche, convertitori c.c.-c.c. e circuiti di controllo del motore. Con un focus sull'ecocompatibilità, è privo di alogeni e antimonio, pienamente conforme agli standard RoHS.

Bassa resistenza all'accensione per una gestione efficiente dell'alimentazione

La velocità di commutazione rapida ottimizza le prestazioni nelle applicazioni di gestione dell'alimentazione

La corrente nominale di scarico continua di -3 A garantisce prestazioni robuste in condizioni di carico

Completamente privo di piombo e conforme alle direttive UE per una progettazione ecocompatibile

I terminali stagnati SMatte garantiscono una buona saldabilità e integrità del collegamento

Il design leggero di circa 0,008 grammi migliora l'efficienza nei dispositivi compatti

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