MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 650 V, 95 mΩ Miglioramento, 30 A, 4 Pin, TO-LL, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

3,78 €

(IVA esclusa)

4,61 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 16 aprile 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 93,78 €
10 - 493,06 €
50 - 992,34 €
100 +1,87 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
762-923
Codice costruttore:
IMTA65R075M2HXTMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-LL

Serie

CoolSiC

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

95mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Dissipazione di potenza massima Pd

141W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.6mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

8.2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET CoolSiC di Infineon offre prestazioni ineguagliabili, affidabilità superiore e grande facilità d'uso. Consente progetti economici, altamente efficienti e semplificati per soddisfare le esigenze del sistema e del mercato in continua crescita.

Perdite di commutazione ultrabasse

Migliora la robustezza e l'affidabilità del sistema

Facilita la grande facilità d'uso e di integrazione

Riduce le dimensioni, il peso e la lista dei materiali dei sistemi

Link consigliati