MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 400 V, 11.5 mΩ Miglioramento, 112 A, 4 Pin, TO-247-4, Foro passante
- Codice RS:
- 762-967
- Codice costruttore:
- IMZA40R011M2HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- 762-967
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- IMZA40R011M2HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 112A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 400V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo di package | TO-247-4 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 11.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 85nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 341W | |
| Tensione diretta Vf | 4.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 13.5mm | |
| Lunghezza | 21.1mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 112A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 400V | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo di package TO-247-4 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 11.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 85nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 341W | ||
Tensione diretta Vf 4.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 13.5mm | ||
Lunghezza 21.1mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 5.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET CoolSiC di Infineon è ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona. Utilizza la tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria e la tensione di azionamento del gate consigliata da 0 V a 18 V.
Diodo corpo rapido robusto per la commutazione
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Qualificato per applicazioni industriali
tensione di esercizio 400V
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