MOSFET Infineon, canale N, 11,5 MO, 100 A, TO-247, Su foro

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strong IRFET™ è ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. La gamma completa soddisfa un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori c.c.-c.c. .

Migliorata resistenza a porte, valanghe e dv/dt dinamica
Capacità completamente caratterizzata e SOA a effetto valanga
Diodo incorporato potenziato con capacità dv/dt e di/dt
Senza piombo