MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 11.5 mΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRF200P223

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2596
Codice costruttore:
IRF200P223
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

313W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

55nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.87mm

Altezza

34.9mm

Larghezza

5.31 mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-31-968

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strong IRFET™ è ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. La gamma completa soddisfa un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori c.c.-c.c. .

Migliorata resistenza a porte, valanghe e dv/dt dinamica

Capacità completamente caratterizzata e SOA a effetto valanga

Diodo incorporato potenziato con capacità dv/dt e di/dt

Senza piombo ; Conformità RoHS ; Senza alogeni

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