MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 40 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 919-5019
- Codice costruttore:
- IRFP260NPBF
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 919-5019
- Codice costruttore:
- IRFP260NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 40mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 234nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 20.3mm | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Larghezza | 5.3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 234nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 20.3mm | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Larghezza 5.3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 50A, dissipazione di potenza massima 300W - IRFP260NPBF
Questo MOSFET è destinato ad applicazioni ad alta potenza e garantisce efficienza e affidabilità in diversi sistemi elettronici. Grazie al suo design in modalità enhancement e alle robuste capacità di gestione della corrente, svolge un ruolo cruciale nell'ottimizzazione delle prestazioni del circuito e nella gestione efficace della dissipazione termica.
Caratteristiche e vantaggi
• Supporta correnti di drenaggio continuo fino a 50A per prestazioni elevate
• Funziona in modo efficiente con una tensione massima drain-source di 200V
• Il design della modalità Enhancement offre maggiore controllo e versatilità
• La bassa Rds(on) di 40mΩ riduce le perdite di energia
• Progettato per il montaggio a foro passante, facilita l'installazione
Applicazioni
• Utilizzato nei circuiti di alimentazione per la gestione di correnti elevate
• Adatto per il settore automobilistico che richiedono componenti elettronici durevoli
• Applicato alle apparecchiature industriali per un efficace controllo della potenza
• Comunemente presente nei sistemi di energia rinnovabile per aumentarne l'efficienza
Qual è la potenza massima dissipata da questo componente?
La dissipazione di potenza può raggiungere i 300 W, garantendo prestazioni efficienti in condizioni di carico elevato.
In che modo la bassa Rds(on) favorisce l'efficienza del circuito?
La bassa Rds(on) di 40mΩ riduce significativamente le perdite per conduzione, migliorando l'efficienza complessiva e minimizzando la generazione di calore durante il funzionamento.
Quali sono i vantaggi dell'utilizzo di questo MOSFET nelle applicazioni di potenza?
Questo MOSFET offre un'elevata corrente di drenaggio continua e funziona efficacemente in un'ampia gamma di temperature, rendendolo adatto ad applicazioni di potenza.
È facile da installare con altri componenti in un circuito?
Il tipo di montaggio a foro passante semplifica l'integrazione in vari progetti di circuiti, consentendo un assemblaggio semplice con i componenti esistenti.
In che modo il design della modalità di miglioramento influisce sulle prestazioni?
La progettazione in modalità enhancement assicura che il dispositivo conduca solo quando è applicata una tensione di gate sufficiente, migliorando l'efficienza di commutazione e riducendo il flusso di corrente indesiderato durante i periodi di inattività.
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