MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 40 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP260NPBF

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Codice RS:
542-9771
Codice costruttore:
IRFP260NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-247

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

234nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5.3 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.9mm

Altezza

20.3mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 50A, dissipazione di potenza massima 300W - IRFP260NPBF


Questo MOSFET è destinato ad applicazioni ad alta potenza e garantisce efficienza e affidabilità in diversi sistemi elettronici. Grazie al suo design in modalità enhancement e alle robuste capacità di gestione della corrente, svolge un ruolo cruciale nell'ottimizzazione delle prestazioni del circuito e nella gestione efficace della dissipazione termica.

Caratteristiche e vantaggi


• Supporta correnti di drenaggio continuo fino a 50A per prestazioni elevate

• Funziona in modo efficiente con una tensione massima drain-source di 200V

• Il design della modalità Enhancement offre maggiore controllo e versatilità

• La bassa Rds(on) di 40mΩ riduce le perdite di energia

• Progettato per il montaggio a foro passante, facilita l'installazione

Applicazioni


• Utilizzato nei circuiti di alimentazione per la gestione di correnti elevate

• Adatto per il settore automobilistico che richiedono componenti elettronici durevoli

• Applicato alle apparecchiature industriali per un efficace controllo della potenza

• Comunemente presente nei sistemi di energia rinnovabile per aumentarne l'efficienza

Qual è la potenza massima dissipata da questo componente?


La dissipazione di potenza può raggiungere i 300 W, garantendo prestazioni efficienti in condizioni di carico elevato.

In che modo la bassa Rds(on) favorisce l'efficienza del circuito?


La bassa Rds(on) di 40mΩ riduce significativamente le perdite per conduzione, migliorando l'efficienza complessiva e minimizzando la generazione di calore durante il funzionamento.

Quali sono i vantaggi dell'utilizzo di questo MOSFET nelle applicazioni di potenza?


Questo MOSFET offre un'elevata corrente di drenaggio continua e funziona efficacemente in un'ampia gamma di temperature, rendendolo adatto ad applicazioni di potenza.

È facile da installare con altri componenti in un circuito?


Il tipo di montaggio a foro passante semplifica l'integrazione in vari progetti di circuiti, consentendo un assemblaggio semplice con i componenti esistenti.

In che modo il design della modalità di miglioramento influisce sulle prestazioni?


La progettazione in modalità enhancement assicura che il dispositivo conduca solo quando è applicata una tensione di gate sufficiente, migliorando l'efficienza di commutazione e riducendo il flusso di corrente indesiderato durante i periodi di inattività.

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