MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 200 A, TO247AC, Su foro

Codice RS:: 124-9012
Codice costruttore:: IRFP3206PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 200 A, TO247AC, Su foro

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 25)**

2,332 €

(IVA esclusa)

2,845 €

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275 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

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Unità	Per unità	Per stecca**
25 - 25	2,332 €	58,30 €
50 - 100	1,982 €	49,55 €
125 - 225	1,865 €	46,625 €
250 - 475	1,726 €	43,15 €
500 +	1,656 €	41,40 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 124-9012
Codice costruttore:: IRFP3206PBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	200 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TO247AC
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	280 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.31mm
Carica gate tipica @ Vgs	120 nC @ 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	15.87mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	20.7mm

MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 200 A, TO247AC, Su foro

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