MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 200 A, TO247AC, Su foro

Codice RS:: 688-6989
Codice costruttore:: IRFP3206PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 200 A, TO247AC, Su foro

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20 - 48	2,495 €	4,99 €
50 - 98	2,32 €	4,64 €
100 - 198	2,175 €	4,35 €
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Codice RS:: 688-6989
Codice costruttore:: IRFP3206PBF
Costruttore:: Infineon

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	200 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TO247AC
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	280 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	120 nC @ 10 V
Lunghezza	15.87mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.31mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	20.7mm

MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 200 A, TO247AC, Su foro

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