MOSFET Infineon, canale N 200 V, 75 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 919-4810
- Codice costruttore:
- IRFP250NPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 919-4810
- Codice costruttore:
- IRFP250NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 75mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 123nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 214W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 5.3mm | |
| Altezza | 20.3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 75mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 123nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 214W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 5.3mm | ||
Altezza 20.3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 30 A, dissipazione di potenza massima di 214 W - IRFP250NPBF
Questo MOSFET di potenza è stato progettato per garantire prestazioni elevate in diverse applicazioni elettroniche. Come MOSFET a canale N, aumenta in modo efficiente il flusso di corrente quando viene applicata la tensione. Si distingue per la capacità di gestire elevati livelli di corrente mantenendo una bassa resistenza di accensione, che lo rende adatto ad applicazioni ad alta intensità di potenza.
Caratteristiche e vantaggi
• La corrente di drenaggio continua di 30A supporta prestazioni robuste
• La capacità di dissipazione di potenza di 214 W è adatta ad applicazioni pesanti
• La tensione massima drain-source di 200 V contribuisce all'affidabilità del dispositivo
• Il basso valore di Rds(on) di 75 mΩ riduce al minimo la perdita di energia durante il funzionamento
• La modalità Enhancement migliora il controllo e l'efficienza nelle applicazioni circuitali
• Compatibile con il pacchetto TO-247AC per una perfetta integrazione nei sistemi esistenti
Applicazioni
• Alimentatori per l'automazione industriale
• Guida di carichi ad alta corrente nei circuiti elettronici
• Convertitori e inverter nei sistemi di energia rinnovabile
• Controllo dei motori che richiedono una commutazione rapida
Come gestisce questo MOSFET le alte temperature?
Con una temperatura operativa massima di +175°C, funziona efficacemente in ambienti ad alta temperatura, garantendo prestazioni costanti anche sotto stress.
Quali sono le implicazioni della resistenza specificata?
Una bassa Rds(on) di 75 mΩ riduce le perdite di potenza, migliorando l'efficienza complessiva e diminuendo la generazione di calore durante l'uso.
Questo dispositivo è adatto alle applicazioni a impulsi?
Sì, è in grado di gestire correnti di drenaggio pulsate fino a 120A, rendendolo adatto ad applicazioni di breve durata e ad alta corrente.
Come gestisce la tensione del gate durante il funzionamento?
Il dispositivo è in grado di gestire una gamma di tensioni gate-to-source da -20 V a +20 V, offrendo flessibilità in vari circuiti di controllo.
Qual è il significato delle valutazioni delle valanghe?
L'energia di valanga a singolo impulso, pari a 315 mJ, indica la capacità di sopportare brevi picchi di energia, salvaguardando il dispositivo in condizioni di guasto.
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