MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 5 mΩ Miglioramento, 209 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
913-3865
Codice costruttore:
IRFP2907PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

209A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

470W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

410nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

20.3mm

Larghezza

5.3 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.9mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

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