MOSFET Infineon, canale N, 5 mΩ, 209 A, TO247AC, Su foro

Codice RS:: 913-3865
Codice costruttore:: IRFP2907PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 5 mΩ, 209 A, TO247AC, Su foro

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 25)

3,677 €

(IVA esclusa)

4,486 €

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2013 Disponibile per la consegna entro 2 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

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Unità	Per unità	Per stecca**
25 - 25	3,677 €	91,925 €
50 - 100	3,494 €	87,35 €
125 +	3,346 €	83,65 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 913-3865
Codice costruttore:: IRFP2907PBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	209 A
Tensione massima drain source	75 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO247AC
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	470 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	5.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	410 nC a 10 V
Lunghezza	15.9mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Altezza	20.3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 5 mΩ, 209 A, TO247AC, Su foro

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MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon

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