MOSFET Infineon, canale N 75 V, 5 mΩ Miglioramento, 209 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
913-3865
Codice costruttore:
IRFP2907PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

209A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-247

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

410nC

Dissipazione di potenza massima Pd

470W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.3mm

Altezza

20.3mm

Lunghezza

15.9mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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