MOSFET Infineon, canale N 200 V, 75 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP250MPBF
- Codice RS:
- 827-4004
- Codice Distrelec:
- 304-36-390
- Codice costruttore:
- IRFP250MPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 827-4004
- Codice Distrelec:
- 304-36-390
- Codice costruttore:
- IRFP250MPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 75mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 214W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 123nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 5.2mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 21.1mm | |
| Lunghezza | 16.13mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 75mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 214W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 123nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 5.2mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 21.1mm | ||
Lunghezza 16.13mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 30 A, dissipazione di potenza massima di 214 W - IRFP250MPBF
Questo MOSFET a canale N è progettato per garantire prestazioni ed efficienza elevate in un'ampia gamma di applicazioni. Offre una corrente di drenaggio continua massima di 30A e una tensione di drenaggio-sorgente nominale di 200V, rendendolo adatto a compiti nei settori dell'automazione e dell'elettronica. Il suo design garantisce prestazioni termiche efficaci, che ne migliorano l'impiego nelle industrie elettriche e meccaniche.
Caratteristiche e vantaggi
• La valutazione dinamica del dv/dt garantisce la stabilità durante il funzionamento
• Capacità termiche migliorate, con una temperatura di esercizio fino a 175°C
• La bassa resistenza di accensione riduce le perdite di potenza
• Completamente classificato per le valanghe, fornisce una protezione da sovratensione
• Requisiti di azionamento semplici per una più facile integrazione nei progetti
Applicazioni
• Adatto per la commutazione ad alta frequenza
• Ideale per alimentatori e convertitori
• Applicabile nei sistemi di controllo motore e negli azionamenti industriali
• Utilizzato nei sistemi di energia rinnovabile, come gli inverter solari
Come si gestiscono le prestazioni termiche in ambienti difficili?
Le caratteristiche di resistenza termica sono progettate per un'efficiente dissipazione del calore, consentendo il funzionamento da -55°C a +175°C.
Quali sono le implicazioni del basso valore di Rds(on)?
La bassa resistenza di accensione comporta una minore dissipazione di potenza durante la conduzione, migliorando l'efficienza complessiva del sistema e riducendo lo stress termico sui componenti.
Questo dispositivo può essere utilizzato per configurazioni parallele?
Sì, il design facilita il parallelismo, aumentando la capacità di corrente e migliorando le prestazioni termiche nelle applicazioni ad alta potenza.
Cosa si deve considerare quando si seleziona la tensione di pilotaggio del gate?
Una tensione di pilotaggio del gate compresa tra 2V e 4V è ottimale per garantire prestazioni di commutazione sufficienti ed evitare un funzionamento indesiderato.
Quali sono le misure di protezione contro le sovratensioni?
Il MOSFET è completamente classificato a valanga, in modo da proteggere da sovratensioni transitorie e garantire un funzionamento affidabile in condizioni di fluttuazione.
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