MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 75 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP250NPBF

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Codice RS:
541-0042
Codice costruttore:
IRFP250NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-247

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

75mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

123nC

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.9mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

20.3mm

Larghezza

5.3 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 30 A, dissipazione di potenza massima di 214 W - IRFP250NPBF


Questo MOSFET di potenza è stato progettato per garantire prestazioni elevate in diverse applicazioni elettroniche. Come MOSFET a canale N, aumenta in modo efficiente il flusso di corrente quando viene applicata la tensione. Si distingue per la capacità di gestire elevati livelli di corrente mantenendo una bassa resistenza di accensione, che lo rende adatto ad applicazioni ad alta intensità di potenza.

Caratteristiche e vantaggi


• La corrente di drenaggio continua di 30A supporta prestazioni robuste

• La capacità di dissipazione di potenza di 214 W è adatta ad applicazioni pesanti

• La tensione massima drain-source di 200 V contribuisce all'affidabilità del dispositivo

• Il basso valore di Rds(on) di 75 mΩ riduce al minimo la perdita di energia durante il funzionamento

• La modalità Enhancement migliora il controllo e l'efficienza nelle applicazioni circuitali

• Compatibile con il pacchetto TO-247AC per una perfetta integrazione nei sistemi esistenti

Applicazioni


• Alimentatori per l'automazione industriale

• Guida di carichi ad alta corrente nei circuiti elettronici

• Convertitori e inverter nei sistemi di energia rinnovabile

• Controllo dei motori che richiedono una commutazione rapida

Come gestisce questo MOSFET le alte temperature?


Con una temperatura operativa massima di +175°C, funziona efficacemente in ambienti ad alta temperatura, garantendo prestazioni costanti anche sotto stress.

Quali sono le implicazioni della resistenza specificata?


Una bassa Rds(on) di 75 mΩ riduce le perdite di potenza, migliorando l'efficienza complessiva e diminuendo la generazione di calore durante l'uso.

Questo dispositivo è adatto alle applicazioni a impulsi?


Sì, è in grado di gestire correnti di drenaggio pulsate fino a 120A, rendendolo adatto ad applicazioni di breve durata e ad alta corrente.

Come gestisce la tensione del gate durante il funzionamento?


Il dispositivo è in grado di gestire una gamma di tensioni gate-to-source da -20 V a +20 V, offrendo flessibilità in vari circuiti di controllo.

Qual è il significato delle valutazioni delle valanghe?


L'energia di valanga a singolo impulso, pari a 315 mJ, indica la capacità di sopportare brevi picchi di energia, salvaguardando il dispositivo in condizioni di guasto.

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