MOSFET Infineon, canale N 200 V, 75 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP250NPBF
- Codice RS:
- 541-0042
- Codice costruttore:
- IRFP250NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Ottieni uno sconto acquistando quantità maggiori
Aggiungi 10 in più per risparmiare 2,30 €
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
4,58 €
(IVA esclusa)
5,59 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 89 unità pronte per la spedizione
- Più 357 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Risparmio |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 4,58 € | - |
| 10 - 24 | 4,35 € | 2,30 € |
| 25 + | 4,17 € | 10,25 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 541-0042
- Codice costruttore:
- IRFP250NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 75mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 123nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 214W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 20.3mm | |
| Larghezza | 5.3mm | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 75mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 123nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 214W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 20.3mm | ||
Larghezza 5.3mm | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 30 A, dissipazione di potenza massima di 214 W - IRFP250NPBF
Questo MOSFET di potenza è stato progettato per garantire prestazioni elevate in diverse applicazioni elettroniche. Come MOSFET a canale N, aumenta in modo efficiente il flusso di corrente quando viene applicata la tensione. Si distingue per la capacità di gestire elevati livelli di corrente mantenendo una bassa resistenza di accensione, che lo rende adatto ad applicazioni ad alta intensità di potenza.
Caratteristiche e vantaggi
• La corrente di drenaggio continua di 30A supporta prestazioni robuste
• La capacità di dissipazione di potenza di 214 W è adatta ad applicazioni pesanti
• La tensione massima drain-source di 200 V contribuisce all'affidabilità del dispositivo
• Il basso valore di Rds(on) di 75 mΩ riduce al minimo la perdita di energia durante il funzionamento
• La modalità Enhancement migliora il controllo e l'efficienza nelle applicazioni circuitali
• Compatibile con il pacchetto TO-247AC per una perfetta integrazione nei sistemi esistenti
Applicazioni
• Alimentatori per l'automazione industriale
• Guida di carichi ad alta corrente nei circuiti elettronici
• Convertitori e inverter nei sistemi di energia rinnovabile
• Controllo dei motori che richiedono una commutazione rapida
Come gestisce questo MOSFET le alte temperature?
Con una temperatura operativa massima di +175°C, funziona efficacemente in ambienti ad alta temperatura, garantendo prestazioni costanti anche sotto stress.
Quali sono le implicazioni della resistenza specificata?
Una bassa Rds(on) di 75 mΩ riduce le perdite di potenza, migliorando l'efficienza complessiva e diminuendo la generazione di calore durante l'uso.
Questo dispositivo è adatto alle applicazioni a impulsi?
Sì, è in grado di gestire correnti di drenaggio pulsate fino a 120A, rendendolo adatto ad applicazioni di breve durata e ad alta corrente.
Come gestisce la tensione del gate durante il funzionamento?
Il dispositivo è in grado di gestire una gamma di tensioni gate-to-source da -20 V a +20 V, offrendo flessibilità in vari circuiti di controllo.
Qual è il significato delle valutazioni delle valanghe?
L'energia di valanga a singolo impulso, pari a 315 mJ, indica la capacità di sopportare brevi picchi di energia, salvaguardando il dispositivo in condizioni di guasto.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 75 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 75 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFP250MPBF
- MOSFET Infineon 15 mΩ TO-247, Foro passante
- MOSFET Infineon 15 mΩ TO-247, Foro passante IRFP4127PBF
- MOSFET Infineon 19 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 5 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 5 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFP2907PBF
- MOSFET Infineon 19 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPW65R019C7FKSA1