MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 75 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
124-8762
Codice costruttore:
IRFP250MPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

75mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

123nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

16.13mm

Larghezza

5.2 mm

Altezza

21.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 30 A, dissipazione di potenza massima di 214 W - IRFP250MPBF


Questo MOSFET a canale N è progettato per garantire prestazioni ed efficienza elevate in un'ampia gamma di applicazioni. Offre una corrente di drenaggio continua massima di 30A e una tensione di drenaggio-sorgente nominale di 200V, rendendolo adatto a compiti nei settori dell'automazione e dell'elettronica. Il suo design garantisce prestazioni termiche efficaci, che ne migliorano l'impiego nelle industrie elettriche e meccaniche.

Caratteristiche e vantaggi


• La valutazione dinamica del dv/dt garantisce la stabilità durante il funzionamento

• Capacità termiche migliorate, con una temperatura di esercizio fino a 175°C

• La bassa resistenza di accensione riduce le perdite di potenza

• Completamente classificato per le valanghe, fornisce una protezione da sovratensione

• Requisiti di azionamento semplici per una più facile integrazione nei progetti

Applicazioni


• Adatto per la commutazione ad alta frequenza

• Ideale per alimentatori e convertitori

• Applicabile nei sistemi di controllo motore e negli azionamenti industriali

• Utilizzato nei sistemi di energia rinnovabile, come gli inverter solari

Come si gestiscono le prestazioni termiche in ambienti difficili?


Le caratteristiche di resistenza termica sono progettate per un'efficiente dissipazione del calore, consentendo il funzionamento da -55°C a +175°C.

Quali sono le implicazioni del basso valore di Rds(on)?


La bassa resistenza di accensione comporta una minore dissipazione di potenza durante la conduzione, migliorando l'efficienza complessiva del sistema e riducendo lo stress termico sui componenti.

Questo dispositivo può essere utilizzato per configurazioni parallele?


Sì, il design facilita il parallelismo, aumentando la capacità di corrente e migliorando le prestazioni termiche nelle applicazioni ad alta potenza.

Cosa si deve considerare quando si seleziona la tensione di pilotaggio del gate?


Una tensione di pilotaggio del gate compresa tra 2V e 4V è ottimale per garantire prestazioni di commutazione sufficienti ed evitare un funzionamento indesiderato.

Quali sono le misure di protezione contro le sovratensioni?


Il MOSFET è completamente classificato a valanga, in modo da proteggere da sovratensioni transitorie e garantire un funzionamento affidabile in condizioni di fluttuazione.

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