MOSFET di potenza Infineon, canale N 75 V, 1.8 mΩ Miglioramento, 355 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP7718PBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
879-3325
Codice costruttore:
IRFP7718PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

355A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

517W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

552nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.87mm

Altezza

20.7mm

Standard/Approvazioni

Lead-Free, RoHS

Larghezza

5.31mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

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