MOSFET onsemi, canale Canale N 60 V, 0.1 Ω, 1.7 A, 3 Pin, SOT-23, Montaggio superficiale FDN5630

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
838-618
Codice costruttore:
FDN5630
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

1.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-23

Serie

FDN

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.1Ω

Dissipazione di potenza massima Pd

0.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4mm

Altezza

1.4mm

Lunghezza

2.9mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N di onsemi è progettato principalmente per migliorare l'efficienza dei convertitori c. c. - c. c. utilizzando controller PWM a commutazione.

Ottimizzato per applicazioni ad alta frequenza, garantisce prestazioni migliori

Presenta bassi valori di R DS(on), migliorando l'efficienza nei progetti compatti

Incorpora funzionalità di commutazione rapida per migliorare le velocità operative

Disponibile in un contenitore senza piombo e senza alogeni per la conformità ambientale

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