MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 290 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-263, Superficie STB18N60DM2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
111-6459
Codice costruttore:
STB18N60DM2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

MDmesh DM2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

290mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

90W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.6mm

Lunghezza

9.35mm

Larghezza

10.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MDmesh serie DM2 a canale N, STMicroelectronics


I MOSFET MDmesh DM2 offrono una bassa resistenza RDS(on) e, con il tempo di recupero inverso migliorato per garantire la massima efficienza, questa serie è ottimizzata per topologie ZVS full-bridge a sfasamento.

Elevata capacità dV/dt per una maggiore affidabilità del sistema

Qualifica AEC-Q101

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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