MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 280 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

1323,00 €

(IVA esclusa)

1614,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 04 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +1,323 €1.323,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
192-4649
Codice costruttore:
STB18N60M6
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

STB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

280mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.8nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.4mm

Altezza

4.37mm

Larghezza

9.35 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
La nuova tecnologia MDmesh M6 incorpora i più recenti progressi nella ben nota e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. La STMicroelectronics si basa sulla generazione precedente di dispositivi MDmesh attraverso la sua nuova tecnologia M6, che combina un eccellente RDS(on) per area di miglioramento con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza di facile utilizzo per la massima efficienza delle applicazioni finali.

Perdite di commutazione ridotte

RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa resistenza di ingresso del gate

Protezione Zener

Link consigliati