MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 280 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
192-4649
Codice costruttore:
STB18N60M6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

STB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

280mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.8nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.37mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.4mm

Larghezza

9.35mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
La nuova tecnologia MDmesh M6 incorpora i più recenti progressi nella ben nota e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. La STMicroelectronics si basa sulla generazione precedente di dispositivi MDmesh attraverso la sua nuova tecnologia M6, che combina un eccellente RDS(on) per area di miglioramento con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza di facile utilizzo per la massima efficienza delle applicazioni finali.

Perdite di commutazione ridotte

RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa resistenza di ingresso del gate

Protezione Zener

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