MOSFET Infineon, canale N, 0,18 Ω, 13 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

La serie di MOSFET a super giunzione (SJ) Cool MOS™ C7 Infineon 600V offre una riduzione del ∼50% delle perdite di spegnimento (e oss ) rispetto al CP Cool MOS™, offrendo un eccezionale livello di prestazioni in PFC, TTF e altre topologie a commutazione rigida. Il modello IPL60R185C7 è anche un abbinamento perfetto per caricabatterie ad alta densità di potenza. L'efficienza e le applicazioni TCO (costo totale di proprietà), come i centri Hyper-dati e i raddrizzatori di telecomunicazione ad alta efficienza (>96%), traggono vantaggio dalla maggiore efficienza offerta da Cool MOS™ C7. È possibile ottenere guadagni da 0,3% a 0,7% e 0,1% di PFC in topologie LLC. Nel caso di un alimentatore per server da 2,5 kW, ad esempio, l'utilizzo di MOSFET C7 Cool MOS™ 600V SJ in un contenitore TO-247 4pin può comportare una riduzione dei costi energetici del ∼10% per la perdita di energia dell'alimentatore.

Ridotti parametri di perdite di commutazione quali Q G, C oss, E oss
Dati di merito migliori della categoria Q G*R DS(on)
Maggiore frequenza di commutazione
Migliore valore R (on)*A in tutto il mondo
Diodo dal corpo robusto