MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 180 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD60R180C7ATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

13,04 €

(IVA esclusa)

15,91 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1495 unità in spedizione dal 30 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 202,608 €13,04 €
25 - 452,294 €11,47 €
50 - 1202,138 €10,69 €
125 - 2451,982 €9,91 €
250 +1,852 €9,26 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4902
Codice costruttore:
IPD60R180C7ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPD50R

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super-giunzione (SJ) Infineon CoolMOS™ 600V C7 ∼™ Il modello IPL60R185C7 è anche un abbinamento perfetto per caricabatterie ad alta densità di potenza.

Consente di aumentare la frequenza di commutazione senza perdita di efficienza

Misurazione che mostra il parametro chiave per l'efficienza a carico leggero e a pieno carico

Raddoppiando la frequenza di commutazione si avrà la metà delle dimensioni dei componenti magnetici

Contenitori più piccoli per la stessa R DS(on)

Può essere utilizzato in molte più posizioni per topologie a commutazione sia hard che soft

Link consigliati