MOSFET Infineon, canale N 600 V, 180 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD60R180C7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4902
Codice costruttore:
IPD60R180C7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPD50R

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Tensione diretta Vf

900mV

Altezza

2.41mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super-giunzione (SJ) Infineon CoolMOS™ 600V C7 ∼™ Il modello IPL60R185C7 è anche un abbinamento perfetto per caricabatterie ad alta densità di potenza.

Consente di aumentare la frequenza di commutazione senza perdita di efficienza

Misurazione che mostra il parametro chiave per l'efficienza a carico leggero e a pieno carico

Raddoppiando la frequenza di commutazione si avrà la metà delle dimensioni dei componenti magnetici

Contenitori più piccoli per la stessa R DS(on)

Può essere utilizzato in molte più posizioni per topologie a commutazione sia hard che soft

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