MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 180 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD60R180P7SAUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4386
Codice costruttore:
IPD60R180P7SAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

72W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.42 mm

Lunghezza

6.65mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.35mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS 600V continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza con la facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore RonxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma di generazione Cool MOS™ 7th ne garantiscono un'elevata efficienza.

È dotato di un diodo robusto

La RG integrata riduce la sensibilità di oscillazione del MOSFET

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