MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 180 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 214-8995
- Codice costruttore:
- IPA60R180P7SXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,948 € | 47,40 € |
| 100 - 200 | 0,768 € | 38,40 € |
| 250 - 450 | 0,711 € | 35,55 € |
| 500 - 950 | 0,664 € | 33,20 € |
| 1000 + | 0,616 € | 30,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-8995
- Codice costruttore:
- IPA60R180P7SXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 180mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 180mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La piattaforma di generazione Infineon CoolMOS 7th è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in conformità al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie 600V CoolMOS P7 è il successore della serie CoolMOS P6. Combina i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida con un'eccellente facilità d'uso, ad esempio una tendenza al ringing molto bassa, un'eccellente robustezza del diodo del corpo contro la commutazione difficile e un'eccellente capacità ESD. Inoltre, le perdite di conduzione e commutazione estremamente basse rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti, compatte e molto più fredde.
Eccellente robustezza ESD >2kV (HBM) per tutti i prodotti
Adatto per la commutazione dura e morbida grazie a un'eccezionale robustezza di commutazione