MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 180 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPA60R180P7SXKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-8996
Codice costruttore:
IPA60R180P7SXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

CoolMOS P7

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La piattaforma di generazione Infineon CoolMOS 7th è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in conformità al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie 600V CoolMOS P7 è il successore della serie CoolMOS P6. Combina i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida con un'eccellente facilità d'uso, ad esempio una tendenza al ringing molto bassa, un'eccellente robustezza del diodo del corpo contro la commutazione difficile e un'eccellente capacità ESD. Inoltre, le perdite di conduzione e commutazione estremamente basse rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti, compatte e molto più fredde.

Eccellente robustezza ESD >2kV (HBM) per tutti i prodotti

Adatto per la commutazione dura e morbida grazie a un'eccezionale robustezza di commutazione

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