MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 280 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB60R280P7ATMA1
- Codice RS:
- 214-4370
- Codice costruttore:
- IPB60R280P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 10 unità*
14,53 €
(IVA esclusa)
17,73 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 270 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,453 € | 14,53 € |
| 50 - 90 | 1,379 € | 13,79 € |
| 100 - 240 | 1,322 € | 13,22 € |
| 250 - 490 | 1,262 € | 12,62 € |
| 500 + | 1,176 € | 11,76 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-4370
- Codice costruttore:
- IPB60R280P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 280mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 53W | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.02mm | |
| Larghezza | 9.27mm | |
| Altezza | 4.5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 280mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 53W | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 18nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.02mm | ||
Larghezza 9.27mm | ||
Altezza 4.5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS Infineon 600V continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore RonxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma di generazione Cool MOS 7th ne garantiscono un'elevata efficienza.
È dotato di un diodo robusto
La RG integrata riduce la sensibilità di oscillazione del MOSFET
Link consigliati
- MOSFET Infineon 280 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET STMicroelectronics 280 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET STMicroelectronics 280 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie STB18N60M6
- MOSFET Infineon 280 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 180 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 99 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 120 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 55 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie