MOSFET STMicroelectronics, canale N 600 V, 110 mΩ Miglioramento, 28 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STF35N60DM2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
111-6464
Codice costruttore:
STF35N60DM2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

28A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-220

Serie

MDmesh DM2

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Dissipazione di potenza massima Pd

40W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-25V, +25V

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.6mm

Altezza

16.4mm

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

MDmesh serie DM2 a canale N, STMicroelectronics


I MOSFET MDmesh DM2 offrono una bassa resistenza RDS(on) e, con il tempo di recupero inverso migliorato per garantire la massima efficienza, questa serie è ottimizzata per topologie ZVS full-bridge a sfasamento.

Elevata capacità dV/dt per una maggiore affidabilità del sistema

Qualifica AEC-Q101

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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