2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 106 mΩ, 3 A 20 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Codice RS:: 124-1416
Codice costruttore:: FDC6401N
Costruttore:: onsemi

2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 106 mΩ, 3 A 20 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

708,00 €

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Codice RS:: 124-1416
Codice costruttore:: FDC6401N
Costruttore:: onsemi

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Serie	PowerTrench
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	106mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.7V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	12V
	Dissipazione di potenza massima Pd	960mW
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	3.3nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Larghezza	1.7mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	3mm
	Altezza	1mm
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Serie PowerTrench
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 106mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.7V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12V
	Dissipazione di potenza massima Pd 960mW
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.3nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Larghezza 1.7mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 3mm
	Altezza 1mm
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

MOSFET doppio a canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

I MOSFET PowerTrench® Semis sono commutati di potenza ottimizzati che offrono maggiore efficienza del sistema e densità di potenza. Combinano una piccola carica di gate, un piccolo recupero inverso e un diodo a corpo a recupero inverso morbido per contribuire alla commutazione rapida della rettifica sincrona negli alimentatori CA/CC.

Le prestazioni soft del diodo dei MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 106 mΩ, 3 A 20 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

MOSFET doppio a canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

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