2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 128 mΩ, 2.7 A 20 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
166-2698
Codice costruttore:
FDC6305N
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

128mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

960mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.77V

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il FDC6305N è un MOSFET a canale N con una soglia bassa. Progettato con la tecnologia PowerTrench®, offre una resistenza allo stato ridotto al minimo e una carica a bassa gate per prestazioni di commutazione superiori.

Caratteristiche e vantaggi:


• Carica a bassa gate

• Velocità di commutazione rapida

• Tecnologia PowerTrench®

• Impronta molto piccola. 72% più piccolo di un SO08.

Il FDC6305N è tipicamente utilizzato in queste applicazioni;

• Commutazione del carico

• Convertitori DC/DC

• Guida del motore

MOSFET doppio a canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET PowerTrench® Semis sono commutati di potenza ottimizzati che offrono maggiore efficienza del sistema e densità di potenza. Combinano una piccola carica di gate, un piccolo recupero inverso e un diodo a corpo a recupero inverso morbido per contribuire alla commutazione rapida della rettifica sincrona negli alimentatori CA/CC.

Le prestazioni soft del diodo dei MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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