Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 183 mΩ Miglioramento, 2.7 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie FDN8601

Codice RS:: 759-9651
Codice costruttore:: FDN8601
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 183 mΩ Miglioramento, 2.7 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie FDN8601

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Codice RS:: 759-9651
Codice costruttore:: FDN8601
Costruttore:: onsemi

Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	2.7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	PowerTrench
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	183mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	3nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.5W
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	2.92mm
	Altezza	0.94mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	1.4mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 2.7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie PowerTrench
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 183mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.5W
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 2.92mm
	Altezza 0.94mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 1.4mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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