MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 100 mΩ Miglioramento, 2.7 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
165-7763
Codice costruttore:
IRLML2030TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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