MOSFET Infineon, canale N, 100 mΩ, 2,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-7763
Codice costruttore:: IRLML2030TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 100 mΩ, 2,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 - 3000	0,087 €	261,00 €
6000 - 12000	0,083 €	249,00 €
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**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-7763
Codice costruttore:: IRLML2030TRPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,7 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	100 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.3V
Tensione di soglia gate minima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	1,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	1 nC a 4,5 V
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3.04mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 100 mΩ, 2,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon

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