MOSFET Infineon, canale N 30 V, 100 mΩ Miglioramento, 2.7 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie
- Codice RS:
- 165-7763
- Codice costruttore:
- IRLML2030TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 165-7763
- Codice costruttore:
- IRLML2030TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 100mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 1nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.3W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.02mm | |
| Larghezza | 1.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.3W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.02mm | ||
Larghezza 1.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- PH
MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima della sorgente di drenaggio 30 V, resistenza massima della sorgente di drenaggio 100 mΩ - IRLML2030TRPBF
Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N compatto progettato per la commutazione a bassa potenza in gruppi a montaggio superficiale a piccolo fattore di forma. È progettato per applicazioni che richiedono una gestione di corrente moderata e una capacità di blocco di 30 V, eseguendo funzioni di commutazione in un'ampia gamma di ambienti, da ambienti a freddo ad alte temperature.
Caratteristiche e vantaggi:
• La bassa resistenza di accensione di 100 mΩ riduce le perdite di conduzione e il calore
• Il valore nominale drain-source di 30 V consente la commutazione a tensione moderata
• La corrente di drenaggio continua di 2,7 A supporta il funzionamento a carico sostenuto
• La bassa carica di gate di 1 nC consente una commutazione rapida ed efficiente
• La dissipazione di potenza massima di 1,3 W consente il budget termico
• La resistenza gate-source di 20 V fornisce un margine di ingresso per i driver
• Il valore nominale drain-source di 30 V consente la commutazione a tensione moderata
• La corrente di drenaggio continua di 2,7 A supporta il funzionamento a carico sostenuto
• La bassa carica di gate di 1 nC consente una commutazione rapida ed efficiente
• La dissipazione di potenza massima di 1,3 W consente il budget termico
• La resistenza gate-source di 20 V fornisce un margine di ingresso per i driver
Applicazioni
• Adatto per la protezione della batteria e i circuiti di commutazione del carico
• Ideale per le fasi di gestione dell'alimentazione dei dispositivi portatili
• Utilizzato con convertitori CC-CC in progetti SMD di piccole dimensioni
• Può essere utilizzato per driver LED e controllo di motori di piccole dimensioni
• Adatto per la commutazione del livello del segnale nell'elettronica di consumo
• Ideale per le fasi di gestione dell'alimentazione dei dispositivi portatili
• Utilizzato con convertitori CC-CC in progetti SMD di piccole dimensioni
• Può essere utilizzato per driver LED e controllo di motori di piccole dimensioni
• Adatto per la commutazione del livello del segnale nell'elettronica di consumo
In quale intervallo termico può operare?
Funziona da -55 °C a 150 °C, consentendo l'uso in condizioni ambientali estreme.
Come è confezionato per l'assemblaggio su circuito stampato?
Viene fornito in un contenitore SOT-23 a montaggio superficiale per un posizionamento compatto della scheda.
Quale ruolo elettrico svolge il dispositivo nei progetti di commutazione?
Funziona come un transistor di commutazione a bassa tensione, gestendo il controllo on/off e limitando le perdite di conduzione grazie al suo RDS(on) specificato.
Quanto è ridotto l'ingombro dei componenti per la pianificazione del layout?
Il dispositivo misura 3,04 x 1,4 x 1,02 mm, consentendo un imballaggio compatto dei componenti sulle schede SMD.
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