MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 92 mΩ Miglioramento, 2.7 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie IRLML0060TRPBF
- Codice RS:
- 725-9341
- Codice costruttore:
- IRLML0060TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 20 unità*
4,48 €
(IVA esclusa)
5,46 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 6460 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 73.380 unità in spedizione dal 09 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,224 € | 4,48 € |
| 200 - 480 | 0,168 € | 3,36 € |
| 500 - 980 | 0,157 € | 3,14 € |
| 1000 - 1980 | 0,146 € | 2,92 € |
| 2000 + | 0,135 € | 2,70 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 725-9341
- Codice costruttore:
- IRLML0060TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 92mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.25W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 2.5nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Altezza | 1.02mm | |
| Larghezza | 1.4 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 92mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.25W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.5nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Altezza 1.02mm | ||
Larghezza 1.4 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 92 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 100 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 100 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRLML2030TRPBF
- MOSFET onsemi 75 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 183 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 46 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 46 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie FDN359BN
- MOSFET onsemi 75 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie FDN359AN
