MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 92 mΩ Miglioramento, 2.7 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie IRLML0060TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
725-9341
Codice costruttore:
IRLML0060TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

92mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.25W

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Larghezza

1.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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