MOSFET Infineon, canale N, 100 mΩ, 2,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 725-9353
Codice costruttore:: IRLML2030TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 100 mΩ, 2,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1pz in confezione da 20**

0,266 €

(IVA esclusa)

0,325 €

(IVA inclusa)

340 In consegna il giorno lavorativo successivo per ordini pervenuti entro le 19:00 (magazzino in Italia)*

80 Entro 3 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa).

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
20 - 180	0,266 €	5,32 €
200 - 480	0,138 €	2,76 €
500 - 980	0,13 €	2,60 €
1000 - 1980	0,123 €	2,46 €
2000 +	0,112 €	2,24 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 725-9353
Codice costruttore:: IRLML2030TRPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,7 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	100 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.3V
Tensione di soglia gate minima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	1,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3.04mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	1 nC a 4,5 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Infineon, canale N, 100 mΩ, 2,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon

Link consigliati