MOSFET onsemi, canale Tipo P 100 V, 104 mΩ Miglioramento, 4.4 A, 8 Pin, WDFN, Superficie

Codice RS:: 124-1436
Codice costruttore:: FDMC86139P
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo P 100 V, 104 mΩ Miglioramento, 4.4 A, 8 Pin, WDFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 124-1436
Codice costruttore:: FDMC86139P
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	4.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	WDFN
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	104mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	40W
	Tensione diretta Vf	-1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	25V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	16nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	0.725mm
	Larghezza	3.3mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	3.3mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 4.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package WDFN
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 104mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 40W
	Tensione diretta Vf -1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 16nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 0.725mm
	Larghezza 3.3mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 3.3mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema. Tali dispositivi combinano una bassa carica di gate (Qg), una bassa carica di recupero inverso (Qrr) e un diodo integrato a recupero inverso graduale, che contribuisce a una rapida commutazione del raddrizzamento sincrono in alimentatori c.a./c.c..

I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello delle generazioni precedenti.

Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare i circuiti di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

MOSFET onsemi, canale Tipo P 100 V, 104 mΩ Miglioramento, 4.4 A, 8 Pin, WDFN, Superficie

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

MOSFET a canale P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

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