MOSFET onsemi, canale P, 380 mΩ, 1,7 A, WDFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 823-4181
Codice costruttore:: NVTFS5124PLTAG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 380 mΩ, 1,7 A, WDFN, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 823-4181
Codice costruttore:: NVTFS5124PLTAG
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	1,7 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	WDFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	380 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	18 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	3.15mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	3.15mm
Carica gate tipica @ Vgs	6 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.75mm

MOSFET onsemi, canale P, 380 mΩ, 1,7 A, WDFN, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor

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