MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 192 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-2100
Codice costruttore:: FDMS8320LDC
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 192 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

1,356 €

(IVA esclusa)

1,654 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	1,356 €	4.068,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-2100
Codice costruttore:: FDMS8320LDC
Costruttore:: onsemi

FDMS8320LDC, N-Channel Dual Cool 56 Power Trench MOSFET 40V 192A 1.1mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	192 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	PQFN8
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	1,7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	125 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.85mm
Lunghezza	5.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	121 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 192 A, PQFN8, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor

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