MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 15.9 mΩ Miglioramento, 57.8 A, 8 Pin, WDFN, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*

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Codice RS:
195-2553
Codice costruttore:
NVTFS010N10MCLTAG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

57.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

NVTFS010N10MCL

Tipo di package

WDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

77.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

0.75mm

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.15 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 3x3mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.

Ingombro ridotto (3x3 mm)

Design compatto

Bassa resistenza in stato attivo

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

Bassa capacitanza

Riduce le perdite di driver

Capacità PPAP

Adatto per applicazioni nel settore automobilistico

Applicazione

Protezione dalle inversioni di polarità della batteria

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

Alimentatori switching

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