MOSFET onsemi, canale N, 15,9 mΩ, 57,8 A, WDFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 195-2553
Codice costruttore:: NVTFS010N10MCLTAG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 15,9 mΩ, 57,8 A, WDFN, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)**

0,588 €

(IVA esclusa)

0,717 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
1500 +	0,588 €	882,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 195-2553
Codice costruttore:: NVTFS010N10MCLTAG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NVTFS010N10MCLTAG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	57,8 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	WDFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	15,9 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	77,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Carica gate tipica @ Vgs	22 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	3.3mm
Larghezza	3.15mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	0.75mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.3V
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101

MOSFET onsemi, canale N, 15,9 mΩ, 57,8 A, WDFN, Montaggio superficiale

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