MOSFET onsemi, canale N, 4,8 mΩ, 107 A, WDFN, Montaggio superficiale

Name: MOSFET onsemi, canale N, 4,8 mΩ, 107 A, WDFN, Montaggio superficiale
Brand: onsemi
SKU: 163-2694
Price: 1.53 EUR

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)

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Unità	Per unità	Per Bobina*
1500 +	1,253 €	1.879,50 €

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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	107 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	WDFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	4,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	68 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	35 nC a 10 V
Lunghezza	3.15mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	3.15mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	0.75mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C