MOSFET onsemi, canale N, 40 mΩ, 16 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 864-4724
Codice costruttore:: FDMS86104
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 40 mΩ, 16 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,861 €

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1,05 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,861 €	2.583,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 864-4724
Codice costruttore:: FDMS86104
Costruttore:: onsemi

FDMS86104, N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 16A, 24mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	16 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	PQFN8
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	40 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	73 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	11,7 nC a 10 V
Larghezza	6mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 40 mΩ, 16 A, PQFN8, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor

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