MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 29 A, 8 Pin, WDFN, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*

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Codice RS:
171-8365
Codice costruttore:
NTTFS4C02NTAG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

WDFN

Serie

NTTFS4C02N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

4.2W

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.75mm

Larghezza

3.15 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.15mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza 30 V 170 A 2,25 mOhm canale N singolo μ8FL

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bassa capacità per ridurre le perdite di driver

Carica di gate ottimizzata per ridurre le perdite di commutazione

Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR

Applicazioni

Convertitori c.c.-c-c.

Interruttore di distribuzione di carico

Gestione della batteria del notebook

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