MOSFET onsemi, canale N, 3,1 mΩ, 29 A, WDFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 171-8365
Codice costruttore:: NTTFS4C02NTAG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 3,1 mΩ, 29 A, WDFN, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)

0,33 €

(IVA esclusa)

0,40 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
1500 +	0,33 €	495,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 171-8365
Codice costruttore:: NTTFS4C02NTAG
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	29 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	NTTFS4C02N
Tipo di package	WDFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	3,1 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.2V
Tensione di soglia gate minima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	4,2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Larghezza	3.15mm
Carica gate tipica @ Vgs	20 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.15mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.1V
Altezza	0.75mm

MOSFET onsemi, canale N, 3,1 mΩ, 29 A, WDFN, Montaggio superficiale

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