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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	29A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	WDFN
	Serie	NTTFS4C02N
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3.1mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	0.8V
	Dissipazione di potenza massima Pd	4.2W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	20nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	0.75mm
	Lunghezza	3.15mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 29A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package WDFN
	Serie NTTFS4C02N
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.1mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 0.8V
	Dissipazione di potenza massima Pd 4.2W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 20nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 0.75mm
	Lunghezza 3.15mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MOSFET di potenza 30 V 170 A 2,25 mOhm canale N singolo μ8FL

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bassa capacità per ridurre le perdite di driver

Carica di gate ottimizzata per ridurre le perdite di commutazione

Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR

Applicazioni

Convertitori c.c.-c-c.

Interruttore di distribuzione di carico

Gestione della batteria del notebook

MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 29 A, 8 Pin, WDFN, Superficie

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