MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 29 mΩ Miglioramento, 48 A, 8 Pin, WDFN, Superficie FDMS3572

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
917-5469
Codice costruttore:
FDMS3572
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

48A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

WDFN

Serie

UltraFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

29mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

78W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.75mm

Larghezza

6mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è in grado di sopportare un'energia elevata nella modalità a valanga e il diodo mostra un tempo di recupero inverso e una carica immagazzinata molto bassi. Ottimizzato per garantire efficienza alle alte frequenze, una bassissima resistenza RDS(on), una bassa ESR e una carica di gate totale e Miller bassa.

Applicazioni in convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, regolatori switching, azionamenti per motori, switch bus a bassa tensione e gestione dell'alimentazione.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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