MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 29 A, 8 Pin, WDFN, Superficie NTTFS4C02NTAG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-8393
Codice costruttore:
NTTFS4C02NTAG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

WDFN

Serie

NTTFS4C02N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

4.2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.75mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.15 mm

Lunghezza

3.15mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza 30 V 170 A 2,25 mOhm canale N singolo μ8FL

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bassa capacità per ridurre le perdite di driver

Carica di gate ottimizzata per ridurre le perdite di commutazione

Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR

Applicazioni

Convertitori c.c.-c-c.

Interruttore di distribuzione di carico

Gestione della batteria del notebook

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