MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 28.3 A, 8 Pin, WDFN, Superficie NVTFS4C02NTAG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
221-6760
Codice costruttore:
NVTFS4C02NTAG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

28.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

WDFN

Serie

NVTFS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

107W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

3.15mm

Lunghezza

3.15mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

0.8mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza per uso automobilistico on Semiconductor in contenitore con cavo piatto 3x3mm è progettato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. L'opzione con fiancata bagnabile è disponibile per una migliore ispezione ottica. Ha utilizzato MOSFET certificati AEC-Q101 e capacità PPAP adatti per le applicazioni automobilistiche.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione

Bassa capacità per ridurre al minimo le perdite di driver

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