MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 28.3 A, 8 Pin, WDFN, Superficie NVTFS4C02NTAG

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

16,07 €

(IVA esclusa)

19,61 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 1430 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 901,607 €16,07 €
100 - 2401,385 €13,85 €
250 +1,201 €12,01 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
221-6760
Codice costruttore:
NVTFS4C02NTAG
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

28.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

WDFN

Serie

NVTFS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

107W

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.15mm

Altezza

3.15mm

Larghezza

0.8 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza per uso automobilistico on Semiconductor in contenitore con cavo piatto 3x3mm è progettato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. L'opzione con fiancata bagnabile è disponibile per una migliore ispezione ottica. Ha utilizzato MOSFET certificati AEC-Q101 e capacità PPAP adatti per le applicazioni automobilistiche.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione

Bassa capacità per ridurre al minimo le perdite di driver

Link consigliati